EMFIT薄膜

共振特性如图1所示。这包括与主频率相关的

属性，例如C（f）、tand（f）、R（f）和G（f）。与图1相反，通常没有频率相关性

观察X（f），B（f），它们主要由电容响应定义。考虑到

对于所有测量样本X>>R和B>>G，我们发现

Z（f）»X（f）~（f*C）-1，Y（f）»B（f）~（f*C）。(2)

并联和串联谐振频率之间的微小差异表明

机电耦合（Fp»Fs，另见图1，右侧a和b）。根据方程式（1），这是

通过估算因机械夹紧导致的C（f）降压的耦合系数来确认。

在这里，我们发现HS-04-10BR薄膜的K33=0.06，HS-03-20BR薄膜的K33=0.05。

0

5.

10

15

5.

4.

3.

2.

1安

R（欧姆）

400,0k 600,0k 800,0k 1,0M

0,0

500,0n

1,0μ

1,5μ

2,0μ

5.

4.

3.

2.

1 b

频率（Hz）

G（S）

0,992

0,996

1,000

1,004

5.

4.

一

3.

1 2

Cs（美国）

200,0k 400,0k 600,0k 800,0k 1,0M

0,000

0,004

0,008

0,012

5.

b

3.

2.

1.

坦德

频率（Hz）

4.

图1：。比较不同蒸发电极的EMFIT薄膜。C（f）、T（f）、R（f）和

G（f）为工作频率的函数。样品编号（1）–（5）表示根据

至选项卡。1、左：胶片未嵌入传感器，右：胶片嵌入传感器。

这些实验结果揭示了铁驻极体薄膜沿33-

方向，垂直于曲面。平面内机电性能较不发达。

各向异性是由层状结构和孔洞的透镜状形状引起的【11、13、14】。这个

与铁电聚合物或压电陶瓷相比，共振异常较弱[9]

叠加在主基座上，主基座由

低损耗电容器。

EMFIT薄膜的介电损耗非常低（图1），并达到最大值

横坐标=0.005− 共振时为0.012。未观察到明显的介电色散

频率间隔范围为10 kHz至40 MHz。然而，由于

机电共振。EMFIT薄膜的介电常数非常低（eT

33 =

1.1−1.2）表明空气填充空隙的体积分数很大。我们没有观察到电介质

色散和低损耗意味着附加金属层和

超声波频率（至少在f>10 kHz）下的低频极化机制不起作用

一个重要的角色。这对于传感器的进一步开发和分析是一个很有前景的特性。机动的

损失也很低（tandm=0.05），对应的质量因数高达Q=1100。

蒸发电极和将薄膜嵌入传感器内可被视为

极软EMFIT薄膜的机械负荷，导致并联和串联的减少

分别通过R（f）或G（f）最大值的移动观察到的共振频率（见图1，右图）。

考虑到EMFIT薄膜的厚度很小（70 mm），共振频率非常高

低（600− 850 KHz），对应极低声速V3=85− 120米/秒。此

数值明显显示了薄膜的不均匀结构。与低密度（r=

330 kg/m3），极低的声速导致

EMFIT贴膜：ZA=rV3=（0.028− 0.040）106千克/平方米=0.028− 0.040 MRayl。只有两个订单

幅值高于空气声阻抗（Zair=0.00042 MRayl），但为

幅值小于陶瓷或晶体压电体的阻抗，且为两个数量级

小于复合材料或聚合物压电体的阻抗。通常，EMFIT film显示

与其他压电材料相比，可接受的机电性能（表2）：